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品牌:Diodes Incorporated
描述:MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8-SO
詳細描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 3.3A 1.2W Surface Mount 8-SO
制造商:Diodes Incorporated
系列:-
包裝:帶卷(TR)
零件狀態:在售
FET 類型:2 個 N 溝道(雙)
FET 功能:邏輯電平門
漏源電壓(Vdss):60V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):3.3A
不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):80 毫歐 @ 12A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):12.3nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):588pF @ 30V
功率 - 最大值:1.2W
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商器件封裝:8-SO
標準包裝:2,500
其它名稱:DMN6070SSD-13DITR
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況:無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級(MSL):1(無限)
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