FQB5N90TM產品參數

品牌：ON Semiconductor

描述：MOSFET N-CH 900V 5.4A D2PAK

詳細描述：表面貼裝 N 溝道 900V 5.4A（Tc） 3.13W（Ta），158W（Tc） D2PAK（TO-263AB）

制造商：ON Semiconductor

系列：QFET?

包裝：帶卷（TR）

零件狀態：在售

FET 類型：N 溝道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：900V

電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）：5.4A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：2.3 歐姆 @ 2.7A，10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：5V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：40nC @ 10V

Vgs（最大值）：±30V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：1550pF @ 25V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：3.13W（Ta），158W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝

供應商器件封裝：D2PAK（TO-263AB）

封裝/外殼：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

標準包裝：800

其它名稱：FQB5N90TM-ND FQB5N90TMTR